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標(biāo)題: 全新第三代太陽(yáng)能芯片- 不一樣的動(dòng)力能源組件 [打印本頁(yè)]

作者: sunworld 時(shí)間: 2010-11-14 16:33
標(biāo)題: 全新第三代太陽(yáng)能芯片- 不一樣的動(dòng)力能源組件
硅晶(單晶、多晶) 型的太陽(yáng)能芯片是最常見的，只是效能上還無(wú)法再提升

太陽(yáng)能砷化鎵芯片是效能上比硅晶還高的產(chǎn)品。
有別于市場(chǎng)上，硅晶太陽(yáng)能的效率

砷化鎵太陽(yáng)能32% > 硅晶(單晶,多晶,非晶)太陽(yáng)能18%
>
薄膜太陽(yáng)能8%

現(xiàn)開發(fā)出模塊型式之產(chǎn)品。供大家在電源開發(fā)上有一個(gè)新的參考組件…

如圖所示是砷化鎵太陽(yáng)能芯片,已做成了模塊方式，方便使用。

采用的散熱是最佳的陶瓷基版，覆銅以最新燒結(jié)銅技術(shù)，芯片底層銀膠貼合。

電極以純金線拉出，并覆以特殊膠質(zhì)，除了防灰塵，高溫下也不變質(zhì)變色變型。

且看這一小小的模塊如下圖
芯片尺寸5.6mm*6.5mm

其優(yōu)點(diǎn)就是用這一小小片的面積可以產(chǎn)生同等于硅晶4倍面積的能力。

砷化鎵太陽(yáng)能芯片的優(yōu)異在于耐熱和可聚焦發(fā)電( 正是硅晶的致命傷 )

利用一個(gè)12cm*12cm的平面式透鏡( 放大倍率500左右 )

聚焦后的電流/電壓

電壓 2.93V

電流 0.91A

功率 2.93V*0.91A=2.66 W

若以垂直對(duì)焦，一個(gè)模塊還可達(dá)3瓦效能

原先使用軍工及電廠和太空站的太陽(yáng)能芯片，現(xiàn)以模塊化型式更方便您的應(yīng)用。

產(chǎn)品訊息

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