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標題: OB3330XCPA高功率因數、單級PF 外置MOS 方案 [打印本頁]

作者: aalele 時間: 2015-12-28 11:50
標題: OB3330XCPA高功率因數、單級PF 外置MOS 方案

OB3330達到全面保護特性、低外部組件數量和低紋波電流。

原邊控制與單級PFC拓撲(PF>0.9)LED 技術參考資料分享 Q Q 2892715427

技術資料。OB3330XCPA高功率因數、單級PF 外置MOS 方案 20-80瓦方案易過認證。

高PF、高CC, PSRLED控制器

原邊控制與單級PFC拓撲(PF > 0.9)

◆高電流精度

◆模擬乘法器為高功率因數校正

◆過渡模式(TM)操作來達到效率高

◆消除光耦合器等和TL431減少BOM計數

◆超低啟動電流和工作電流

◆軟啟動功能

◆逐周期電流限制(開放封閉原則(OCP)

◆選擇閾值的開放封閉原則(OCP

◆VCC電壓閉鎖(UVLO)下

◆VCC過電壓保護

◆輸出過電壓保護

◆過熱保護

◆領導開放和短路保護

作者: maiconi 時間: 2016-1-5 13:55

作者: aalele 時間: 2016-1-5 17:27

maiconi 發表于 2016-1-5 13:55

哈哈朋友謝謝支持啊

作者: aalele 時間: 2016-2-1 16:48
大家2016新年快樂

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