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標(biāo)題: 從飛凌OK6410 升級(jí)為1G NAND中看SLC技術(shù)和MLC技術(shù)的區(qū)別與發(fā)展 [打印本頁]

作者: yanhong    時(shí)間: 2010-7-16 13:48
標(biāo)題: 從飛凌OK6410 升級(jí)為1G NAND中看SLC技術(shù)和MLC技術(shù)的區(qū)別與發(fā)展
原文引用自:飛凌首頁 技術(shù)更新  www.witech.com.cn   
    飛凌OK6410開發(fā)板全新升級(jí),標(biāo)配1G超大容量NandFlash,讓您的使用更加游刃有余。
    市面上絕大多數(shù)6410開發(fā)板仍然只是支持SLC類型的NAND。我們經(jīng)過努力,實(shí)現(xiàn)了MLC NAND的完美支
持。成為同價(jià)位開發(fā)板中唯一標(biāo)配1GFlash的產(chǎn)品。包括wince系統(tǒng)在內(nèi)的驅(qū)動(dòng)軟件經(jīng)過改寫,并嚴(yán)格測
試。使用MLC的NAND可大幅提高容量和產(chǎn)品性價(jià)比。
備注:強(qiáng)大的S3C6410處理器支持MLC NANDFLASH,而這個(gè)功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已經(jīng)得
到廣泛應(yīng)用,是未來的發(fā)展方向。
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    以前只是知道FLASH分為NOR和NAND,沒有注意過NAND還分很多種。今天看到飛凌的升級(jí)信息,就在
網(wǎng)上查了一下。評(píng)論不一,就拿出來和大家討論一下,互相學(xué)習(xí)了。
    Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器,這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說的。即存儲(chǔ)器斷電后,內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍
然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盤和MP3中最常用的內(nèi)存就
是Nand Flash。
    Nand Flash也有幾種,根據(jù)技術(shù)方式,分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC是Single level cell
的縮寫,意為每個(gè)存儲(chǔ)單元中只有1bit數(shù)據(jù)。而MLC就是Multi-Level-Cell,意為該技術(shù)允許2 bit的數(shù)
據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元當(dāng)中。而MirrorBit則是每個(gè)存儲(chǔ)單元中只有4bit數(shù)據(jù)。
SLC的技術(shù)存儲(chǔ)比較穩(wěn)定,SLC的技術(shù)也最為成熟。然而MLC可以在一個(gè)單元中有2bit數(shù)據(jù),這樣同樣大小
的晶圓就可以存放更多的數(shù)據(jù),也就是成本相同的情況下,容量可以做的更大,這也是同樣容量,MLC價(jià)
格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC,MLC的價(jià)格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。
    區(qū)分SLC(停產(chǎn))和MLC(現(xiàn)在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )
    1、看Flash的型號(hào):根據(jù)Flash的命名規(guī)則,進(jìn)行區(qū)分。
    2、測試讀寫速度:SLC的非常快,MLC的很慢。

    SLC閃存:即單層式儲(chǔ)存 (Single Level Cell;SLC),包括三星電子、Hynix、美光(Micron)以及
東芝都是此技術(shù)使用者
    MLC閃存:多層式儲(chǔ)存(Multi Level Cell;MLC),目前有東芝、Renesas、三星使用,英飛凌
(Infineon)與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術(shù)所共同開發(fā)的多位儲(chǔ)存(Multi Bit Cell;
MBC)。

    除了三星,Hynix等其他存儲(chǔ)器制造商也在向MLC閃存邁進(jìn)。雖然東芝憑借多年的技術(shù)積累而在MLC技
術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢,但英特爾與美光科技的合資企業(yè)IM Flash也有能力結(jié)合英特爾MLC技術(shù)與美光的NAND閃存
,從而在MLC型NAND閃存領(lǐng)域迅猛發(fā)展。
    MLC閃存技術(shù)并非沒有不足,實(shí)際上,在采用先進(jìn)工藝生產(chǎn)MLC閃存方面困難重重。隨著閃存技術(shù)的
演進(jìn),在浮動(dòng)?xùn)?floating gate)中存儲(chǔ)的電荷總量減少了,使得檢測存儲(chǔ)的信息變得更加困難,尤其是
對(duì)MLC芯片而言,它需要識(shí)別四個(gè)電壓值,而非兩個(gè)。盡管如此,據(jù)報(bào)道,東芝在70nm工藝中能夠保證采
用與90nm技術(shù)相同的代碼糾錯(cuò)方案。這顯示該公司并沒有放慢MLC技術(shù)縮放的步伐,最少是就現(xiàn)在而言。
    對(duì)于我們消費(fèi)者而言,最關(guān)心的就是產(chǎn)品的質(zhì)量問題,因此,網(wǎng)上流傳很多說法,好像只有使用SLC
閃存的產(chǎn)品才是質(zhì)量好的產(chǎn)品,其實(shí)不盡然,產(chǎn)品的質(zhì)量好壞第一個(gè)關(guān)節(jié)是采用的物料的好壞,第二個(gè)
關(guān)節(jié)是廠家是否在生產(chǎn)過程中偷工減料。這兩者都是很重要的。再其次,就是產(chǎn)品的成熟程度,一般剛
推出來的產(chǎn)品一般都會(huì)存在一些不為人知的問題,只能靠以后的不斷改進(jìn)才能使產(chǎn)品日趨完善
    隨著MP3、MP4控制芯片的更新?lián)Q代和軟件控制技術(shù)的更新,克服了很多難關(guān),目前對(duì)于MLC閃存芯片
的架駑能力已經(jīng)很成熟了,再加上MLC閃存生產(chǎn)技術(shù)的改進(jìn),因此目前很多廠家(包括IPOD)都采用MLC
閃存用于消費(fèi)類數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn),尤其是大容量的數(shù)碼產(chǎn)品,非它不可!

   以上內(nèi)容摘自  《SLC和MLC閃存nand flsah的區(qū)別和歷史》 http://bbs.mydigit.cn/read.php?
tid=110565




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