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標題: 芯片解密后芯片失效如何分析？ [打印本頁]

作者: 星光電子 時間: 2014-6-11 20:34
標題: 芯片解密后芯片失效如何分析？

芯片解密常見問題解答—芯片解密后失效分析的主要流程:

1、接受客戶不良品信息反饋及分析請求，并了解客戶相關信息。(指失效模式，參數值，客戶抱怨內容，型號，批號，失效率，所占比例等，與正常品相比不同之處)

2、記錄各項信息內容，以在長期記錄中形成信息庫，為今后的分析工作提供經驗值。

3、收集工藝信息，包括與此產品有關的生產過程中的人，機，料，法，環變動的情況(老員工，新員工，班次，人員當時的工作狀態，機臺狀況，工夾具，所采用的原材料，工藝參數的變動，環境溫濕度的變動等)。

通常有：裝片機號，球焊機號，包封機號，后固化烘箱號，去飛邊機號，軟化線號，是否二次軟化，測試機臺，測試參數，料餅品種型號，引線條供應者及批號，金絲品種及型號，供應者等。

4、失效確認，可用測試機檢測功能、開短路，以確認客戶反映情況是否屬實。

5、對于非開短路情況，如對于漏電流大的產品要徹底清洗(用冷熱純水或有機溶劑如丙酮)后再進行下述烘烤試驗：125度烘烤24小時或175度烘烤4小時以上，烘箱關電源后門打開45度角緩慢冷卻1小時后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試問題，對封裝工藝要嚴查。

6、對于開短路情況，觀察開短路測試值是開路還是短路，還是芯片不良，如是開路或短路，則要注意是第幾腳開路或短路，待開帽后用萬用表測量該腳所連的金絲的壓區與腳之間的電阻，以判斷該腳球焊是否虛焊。

7、對于大芯片薄形封裝產品要注意所用材料(如料餅，導電膠)是否確當，產品失效是否與應力和濕氣有關(125度烘烤24小時或175度烘烤4小時以上，烘箱關電源后，門打開45度角緩慢冷卻1小時后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試的問題，對封裝工藝要嚴查，如檢查去飛邊方式，浸酸時間等。)

8、80倍以上顯微鏡觀察產品外形特征，特別是樹脂休是否有破裂，裂縫，鼓泡膨脹。(注膠口，腳與腳之間樹脂體和導電物)

9、對所有失效樣品進行X-RAY檢查，觀察金絲情況，并和布線圖相比較，以判斷布線是否錯誤。如發現錯誤要加抽產品確認失效總數并及時反映相關信息給責任人。

10、C-SAM即SAT，觀察產品芯片分層情況。判斷規范另見。樣品數量為10只以內/批。

11、開帽：對于漏電流大的產品采用機械方式即干開帽形式，其它情況用強酸即濕開帽形式。切開剖面觀察金絲情況，及金球情況，表面鋁線是否受傷，芯片是否有裂縫，光刻是否不良,是否中測，芯片名是否與布線圖芯片名相符。樣品數量為5只/批。對于開短路和用不導電膠裝片的產品要用萬用表檢測芯片地線和基島之間電阻檢查裝片是否有問題。對于密間距產品要測量鋁線寬度，確認所用材料(料餅，導電膠，金絲)是否確當開帽后應該再測試，根據結果進一步分析。

12、腐球：觀察壓區硅層是否破裂，嚴重氧化(用王水或氫氧化鈉或氫氧化鉀)，腐球時注意要腐透(金絲徹底脫離芯片或溶化掉)，不能用細針去硬撥金絲以免造成人為壓區損壞。

13、開帽時勿碰壞金絲及芯片，對于同一客戶，同型號，同擴散批，同樣類型的失效產品涉及3個組裝批的，任抽一批最后對開帽產品進行測試看是否會變好。以確認是否是封裝問題。

14、對開帽后漏電流偏大的可以使用微光顯微鏡檢查。

15、對開帽后的芯片最好用SEM仔細檢查有無如微小缺陷、氧化層穿孔等缺點。

16、失效分析主要依照：EOS、ESD、封裝缺陷、芯片缺陷、CMOS閂鎖、設計缺陷、可靠性(如水汽進入、沾污等)展開。

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