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標題: ZT: 華虹NEC兩項新技術榮獲創(chuàng)新產(chǎn)品和技術獎 [打印本頁]

作者: 步從容    時間: 2010-4-19 13:42
標題: ZT: 華虹NEC兩項新技術榮獲創(chuàng)新產(chǎn)品和技術獎

2010/4/15/10:19來源:電子工程專輯
    2010年中國半導體市場年會于20103910日在上海召開。大會公布了由中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子材料行業(yè)協(xié)會、中國電子專用設備
工業(yè)協(xié)會、中國電子報等單位共同評選出的第四屆(2009年度)中國半導體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術獲獎結(jié)果,上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱華虹NEC”)的“0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術芯片超級同測技術(SCT兩個項目分獲殊榮。

華虹NEC0.13微米SONOS嵌入式存儲器工藝技術具有低動態(tài)電流,極低靜態(tài)電流,存儲單元小,容量可配置,讀出速度快等優(yōu)良性能。達到業(yè)內(nèi)領先的可靠性擦寫壽命和數(shù)據(jù)保持時間。目前該技術平臺擁有各種容量的嵌入式閃存IP,齊全的模擬IP,高速靜態(tài)隨機存儲器和低功耗設計庫,高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案,可廣泛應用于智能卡、MCU/SOC以及USBKey等產(chǎn)品。

華虹NEC成功地研發(fā)出世界領先的芯片同測數(shù)最高可達512超級同測技術(SCT,SuperConcurrentTesting)”。此技術的研發(fā)成功,有效地降低了晶圓測試成本,提升了測試效率和產(chǎn)品的競爭力,實現(xiàn)了最高可達較原有技術平臺的八倍測試效率,并可支持芯片高集成的晶圓測試,成為當今世界領先的測試技術平臺。此測試平臺現(xiàn)已成功應用,作為華虹NEC制造服務的拓展。此創(chuàng)新技術為國內(nèi)主要集成電路設計公司的自主產(chǎn)品(智能卡、USBKey、可編程MCU等)提供了最優(yōu)化的測試方案。

華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官邱慈云博士表示,我們十分榮幸在中國半導體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術評選中榮獲兩個獎項,這是華虹NEC持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術領域的業(yè)界領先地位,也是中國智能卡與SIM卡芯片的最主要的制造商。本次獲獎的兩個項目正是華虹NEC過去幾年來在嵌入式非揮發(fā)性存儲器領域的最新成果,為下一代智能卡芯片提供了極具競爭力的全套工藝、設計支持與量產(chǎn)測試解決方案。





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